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肖特基二極管特色

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肖特基二極管特色

發布日期:2018-09-01 作者: 點擊:

  肖特基二極管是一種低功耗、大電流、超高速半導體器材,其反向康復時間可小到幾個納秒,正導游通壓降僅0.4v左右,而整流電流卻可以到達幾千安。

  肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,運用二者觸摸面上構成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器材。因為N型半導體中存在著很多的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中分散。明顯,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的分散運動。跟著電子不斷從B分散到A,B表面電子濃度逐步降低,表面電中性被破壞,于是就構成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場效果之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,然后消弱了因為分散運動而構成的電場。當建立起必定寬度的空間電荷區后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子分散運動到達相對的平衡,便構成了肖特基勢壘。

  肖特基勢壘二極管(SBD)具有開關頻率高和正向壓降低一級優點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其運用規模。像在開關電源(SMPS)和功率因數校對(PFC)電路中功率開關器材的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有運用快速康復外延二極管(FRED)和超快速康復二極管(UFRD)?,F在UFRD的反向康復時間Trr也在20ns以上,根本不能滿意像空間站等范疇用1MHz~3MHz的SMPS需求。即使是硬開關為100kHz的SMPS,因為UFRD的導通損耗和開關損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,然后使SMPS體積和分量添加,不符合小型化和輕浮化的發展趨勢。因而,發展100V以上的高壓SBD,一直是人們研討的課題和重視的熱點。近幾年,SBD已取得了突破性的發展,150V和 200V的高壓SBD現已上市,運用新型材料制造的超過1kV的SBD也研制成功,然后為其運用注入了新的生機與生機。

 肖特基二極管的主要特色:正向壓降低、反向康復時間快、作業頻率高、反向耐壓低。


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